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Centris™ AdvantEdge™ Mesa™ 刻蚀系统

Applied Centris AdvantEdge Mesa 是应用材料公司最先进的硅刻蚀系统,可提供成功制造 22nm 及更先进节点的先进逻辑和存储芯片所需的刻蚀精度、智能化和生产能力。Centris 系统采用应用材料公司业界领先的 AdvantEdge Mesa 刻蚀反应腔技术,可在每个晶圆上形成具有埃米级均匀性的纳米级电路特征。这一能力对于实现芯片规模生产的高良率必不可少。

迈克·赖斯 (Mike Rice) 介绍专为纳米级精度和高产能而设计的 Centris 刻蚀平台。

开创性的 Applied Centris 平台集成了多达八个工艺腔室 – 六个刻蚀反应腔和两个等离子清洗腔。 自动化机械臂可实现高速传送,使系统每小时可加工多达 180 片晶圆 – 速度几乎是同类竞争产品的两倍。

用于去除刻蚀后卤素残留物的两个等离子清洗腔集成到真空装载腔内。这种独特的创新设计,大幅增加了刻蚀反应腔的配置数量,使产能达到传统硅刻蚀系统的两倍。

该系统采用独有的“智能”系统监控软件和NIST可追踪参考标准,使所有六个刻蚀反应腔的性能达到精确匹配,确保每个加工的晶圆达到业界领先的亚纳米级 CD 均匀性(3σ)。除了无与伦比的晶圆工艺可重复性以外,Mesa 技术可在晶圆内的边到边之间形成非常平整一致的刻蚀形貌,从而实现光刻图形的精确转印,显著提高芯片成品率。可选的 Pulsync 技术为系统增添了创新的同步等离子体脉冲功能,可实现精确的等离子控制,显著减轻微负载效应,从而优化图形化和刻蚀精度。

Centris 平台旨在帮助芯片制造商实施可持续制造计划,相比其他机台,显著降低了水和能源的消耗。一般情况下,该系统每年节约的水、电和用气量相当于减排 600,000 磅 CO2*,和市面上现有的其他系统相比,设备拥有成本降低 30%。

Centris AdvantEdge Mesa 系统主要用于刻蚀临界浅沟槽隔离区域、埋入式位线和字线以及双重图形化芯片结构。该系统性能一流,可将刻蚀深度的不均匀性控制在 1%,并实现亚纳米级 CD 均匀性,从而帮助客户缩小电路尺寸、控制漏电流,并能达到未来实现高复杂度芯片设计所需的高成品率。