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下一代 NAND

应用材料公司的革命性制造技术可支持客户从 2D 向 3D 存储单元阵列转变,以满足下一代 NAND 闪存的制造要求。

由于传统闪存存储单元的进一步微缩己愈来愈不可行,很多领先的制造商正着手开发所谓的“3D 堆叠式 NAND”技术。多重 2D 存储阵列是以层层相叠方式来制造,因此能增加芯片容量而不需要减少每个单元的大小。应用材料公司 应用材料公司的创新系统帮助闪存存储制造商实现这项令人兴奋的新技术。

存储设备制造商正在开发建立多达 16 层 3D 单元阵列的方法。这种设计与传统的平面布局相比,可提供更大的存储密度,但由此也需要制造出非常高的结构,因而带来新的制造难题。

应用材料公司已开发出突破性的制造技术,帮助其存储客户在量产制造时采用这些高难度的结构。应用材料公司先进的刻蚀系统可穿透多层不同材质形成垂直小孔。此项技术是构成电路地址线的关键,可将存储单元连接到外部控制电路。若要对每个单元进行电隔离,应用材料公司突破性的流动性氧化技术可轻松填充这些 30:1 深宽比的特征。