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金属氧化物

要提供比非晶硅(a-Si)高达十倍的电子迁移率,最主要的金属氧化物膜选择是氧化铟镓锌(IGZO)。

IGZO的高电子迁移率可使高分辨率及3D电视面板的刷新率高达480赫兹,并且支持更小晶体管,以达到更高的像素,延长设备电池的寿命。金属氧化物晶体管的制造比用于非晶硅晶体管的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术要求更高。IGZO膜层通过物理气相沉积(PVD)工艺沉积而来,并免于遭受可能会降解金属的氢污染,而使用PECVD工艺沉积二氧化硅电介质膜层会产生氢污染。