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ALD

現代のトランジスタは極小で、重要な層の中には2、3原子分の厚さしかないものもあり、この文章の終わりのピリオドの大きさの中に、優に数百万のトラジスタを詰め込むことができます。ALD は、一般的になりつつある、この極小構造の製造を可能にする技術のひとつです。

 

ALDプロセスでは、可能な限り薄く、均一な層を形成するために、チップの表面に一層ずつ材料を積層していきます。同プロセスの自己制御特性と関連する成膜の均一性能は、スケーリングと3Dを実現する上で基本となります。表面における反応を自己制御することにより、原子スケールでの成膜制御が可能になります。膜厚は、反応サイクルの回数にのみ、依存します。表面制御は、新興の3Dデバイスデザインに必要な特性となる、極めて均一かつ同形の膜厚を保つことができます。