光罩可透過實現數十億元件的晶片設計，讓晶體管微縮達到大幅進展。隨著晶體管複雜性的增加以及 193 奈米光學微影的延伸，每個晶片設計都需要在 7 奈米節點採用 80 個或者更多的光罩。
應用材料公司的 Aera4 光罩檢測系統是以 193 奈米為主的第四代檢測工具；此工具獨特地結合了真實空間影像技術與尖端的高解析度影像技術。
Aera4 系統配備了新的微影級鏡頭，在標準的高解析度應用和空間檢測中展現更佳訊噪比，因而成為 1x...
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高品質光阻鍍膜是達到世界一流光罩 CD 均勻度的第一步。在奈米尺度上，許多細微因素變得非常重要，其中包括反應室空氣的純度、溫度和濕度，光罩表面的預處理、光阻分配和旋轉塗佈特性，以及塗抹後烘烤 (post apply bake) 輪廓的控制。
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193i 和 EUV 微影所用光罩採用敏感光罩材料和環境，因此促成這些光罩採用的清潔方式。光罩清潔製程已經從腐蝕性化學處理方法發展到更溫和的配方與高頻超聲波相結合的技術，以去除更小的微粒並實現更光潔的光罩表面。
Sigmameltec MRC...
使用化學放大型光阻進行光罩製造時，必須對曝光後烘烤 (PEB) 步驟進行嚴格控制，這樣便可完成由圖案曝光引發的化學反應。烘烤溫度和時間也會影響最終的圖案尺寸，因此烘烤條件必須保持均勻並可重複，以此確保曝光設備的 CD 均勻性被準確地轉移到光罩上。...
對於透過鍍膜、曝露和烘烤這些受到高度控制製程的光罩，將已曝光的光阻圖案進行精確顯影，是保留光罩原有的 CD 均勻度不可缺少的一環。這項製程需要在光罩表面同時並均勻地分配顯影劑。因此採用足夠的流速可以避免顯影劑耗盡，同時也可以在光罩線寬尺寸的全部範圍內實現最佳 CD 線性。...
EUV 光罩與傳統的光罩截然不同，後者是有選擇性地傳輸 193nm 波長的光線，將電路圖案投射到晶圓上。當採用 13.5nm 波長的極紫外光微影技術 (EUV Lithography) 時，所有的光罩材料都是不透光的，因此具複合多塗層反射鏡的光罩可將電路圖案反射到晶圓上。...
應用材料公司的 Centura Tetra Z 光罩蝕刻系統提供最先進的性能，可滿足 10nm 及以下製程的邏輯和記憶體等元件的光學微影光罩蝕刻所需。這套全新系統提升了業界領先的 Tetra 平台功能，可以採用先進的解析度增強技術，...
