一個光罩包含著一個積體電路的圖案。隨著電晶體越來越小，為了將圖案精確地轉印到矽晶圓上，光罩隨之更為複雜。製作光罩的製程已因此變得更為先進—即使是光罩上細微的缺陷都會影響矽元件的性能。驗證光罩圖案的準確性及零缺陷率至關重要，尤其對於高收益的晶片來說更是如此。
應用材料公司的 Aera4 光罩檢測系統是以 193 奈米為主的第四代檢測工具；此工具獨特地結合了真實空間影像技術與尖端的高解析度影像技術。
Aera4 系統配備了新的微影級鏡頭，在標準的高解析度應用和空間檢測中展現更佳訊噪比，因而成為 1x...
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高品質光阻鍍膜是達到世界一流光罩 CD 均勻度的第一步。在奈米尺度上，許多細微因素變得非常重要，其中包括反應室空氣的純度、溫度和濕度，光罩表面的預處理、光阻分配和旋轉塗佈特性，以及塗抹後烘烤 (post apply bake) 輪廓的控制。
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193i 和 EUV 微影所用光罩採用敏感光罩材料和環境，因此促成這些光罩採用的清潔方式。光罩清潔製程已經從腐蝕性化學處理方法發展到更溫和的配方與高頻超聲波相結合的技術，以去除更小的微粒並實現更光潔的光罩表面。
Sigmameltec MRC...
使用化學放大型光阻進行光罩製造時，必須對曝光後烘烤 (PEB) 步驟進行嚴格控制，這樣便可完成由圖案曝光引發的化學反應。烘烤溫度和時間也會影響最終的圖案尺寸，因此烘烤條件必須保持均勻並可重複，以此確保曝光設備的 CD 均勻性被準確地轉移到光罩上。...
對於透過鍍膜、曝露和烘烤這些受到高度控制製程的光罩，將已曝光的光阻圖案進行精確顯影，是保留光罩原有的 CD 均勻度不可缺少的一環。這項製程需要在光罩表面同時並均勻地分配顯影劑。因此採用足夠的流速可以避免顯影劑耗盡，同時也可以在光罩線寬尺寸的全部範圍內實現最佳 CD 線性。...
極紫外線 (EUV) 光罩是以新式微影系統，透過高能量、短波長的光源，將電路圖案轉印到晶圓。EUV 光源波長比目前深紫外線微影製程的光源波長短少約 15 倍，因此能持續將線寬尺寸縮小。
EUV 光罩與傳統的光罩截然不同，後者是有選擇性地傳輸...
The Applied Centura Tetra Z 光罩蝕刻系統提供最先進的性能，可滿足 10nm 及以下製程邏輯和記憶體元件的光學微影光罩蝕刻所需。這套全新系統提升了領先業界的 Tetra 平台功能，採用先進的解析度增強技術，在利用四次圖案化來延伸浸潤式微影之下，...
