在製造微晶片的各類節點上，生產的晶圓表面必須完全平坦或是平坦化。這樣做是為了去除多餘的材料，或是為了建立平坦基底，以便新增下一層的電路線寬。
積體後 CMP Mesa 清洗器（同樣適用於 150mm 和 200mm 應用）能有效去除研磨液、防止殘渣形成，最大限度減少微粒和水痕。對於銅鑲嵌應用，也可以選擇 200mm Desica 清潔和沖洗技術，利用 Marangoni 蒸氣乾燥器，可實現快速、有效的無水印乾燥...
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晶圓在化學機械平坦化後非常潔淨 (在 300 毫米晶圓上少於 100 項 45 奈米缺陷)，若以整個地球的地面面積來說，殘餘的污染僅會覆蓋 0.3 英畝，相當於一座中型尺寸的郊區花園。
應用材料 Reflexion LK...
此系統具備六個研磨站和八個整合式清潔站，並有先進的製程控制，能提供這些三維應用所需的精密製程，且達到無與倫比的均勻度和高產量。上一代機台為 7 個機站)，且有最佳化的晶圓處理能力，可在許多應用達到以前晶圓產能的二倍，並使生產率提高達 100%。
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