隨著半導體持續進行微縮,對晶片製造的精密度和均勻度要求也越來越嚴格,因而推動了過去十年來矽蝕刻反應室的首次全面重新設計。 應用材料因此發展了 Centris Sym3 系統,能在重要的蝕刻應用中以無比強大的晶片內部線寬控制能力,提供世界最佳的跨晶圓均勻度,以達到 1x/...
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為確保晶片內蝕刻精密度的提升擴展到整個晶圓上,Centris Sym3 系統針對功率、氣體輸送和必要的熱特性等方面,對 True Symmetry™ 進行了全面的重新設計。此外,Pulsync™ 的改進提高了同步電漿脈衝的有效性,並使圖案負載效應減到最小。...
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