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Producer® APF™ PECVD

應用材料 Producer APF PECVD 系統可為重要的圖案化製程提供非晶碳可剝除硬罩薄膜技術。

Running at virtually every advanced DRAM, NAND flash, and NOR flash manufacturing site, the system produces the industry's first commercially available PECVD ashable amorphous carbon film for patterning STI, gate, bit line, contact, capacitor, and interconnect features. It is also one of the enabling films in self-aligned double patterning integration for scaling standard ArF lithography beyond its physical limitations.

隨著 APF 應用的激增,本系統已從一種薄膜發展為一系列專用薄膜。

APF 廣為低線寬和高深寬比 (HAR) 結構採納為圖案化薄膜,APF 提供絕佳的蝕刻選擇性,且能提供比傳統光阻劑 (PR) 更低的刻線邊緣粗糙度 (LER)。由於具備傳統光阻劑般的可灰化特性,皆可很容易地將 APF 整合入製程中。無論是單獨使用或與應用材料的 DARC (介電質抗反射鍍膜 DARC) 合用,這符合成本效益且具備微影功能的薄膜都可為多晶矽、氮化矽或氧化矽提供高蝕刻選擇性、極佳的臨界線寬控制和更低的刻線邊緣粗糙度 (LER)。

APFe 建立在 APF 蝕刻選擇性和 LER 的絕佳特性上,APFe 能產生比 APF 更厚層的沉積 (例如在電容器記憶體元件的金屬接觸點),同時維持蝕刻 HAR 導孔所需的對位透明度。

APFx™APFx 擴展了 APF 應用,可以滿足 5x 奈米及更進一步的金屬線和接觸點圖案化的製程。除了有絕佳的微影對位透明度,APFx 還提供最有效的批覆均勻性,可改善抗蝕光阻劑重工性以減少明顯表面型態應用中的後圖案化瑕疵數量。APFx 具備最穩定的機械特性,例如附低應力和良好粘著性的高彈性模數和硬度,這是小至 3X 奈米的線寬曝光圖案達到完整性所需的特性。