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最常見的半導體層是由非晶矽 (a-Si) 製成。20 多年來,a-Si 薄膜電晶體-液晶顯示器 (TFT-LCD) 一直是製造主動矩陣 TFT-LCD 的主導技術。a-Si 是一種供應充足的低成本材料。
a-Si 是一種供應充足的低成本材料。但是,a-Si 的電子遷移率非常低(大約 1cm2/Vs),並且物理上不支持高刷新率,如高畫質電視所需的 240Hz。由於金屬氧化物 (MO) 和低溫多晶矽 (LTPS) 等新材料具有高電子遷移率,它們正逐步取代 a-Si 製造行業的兩種主要螢幕:LCD 和有機發光二極體 (OLED) 顯示器。
AKT的直立式動態濺射系統 NEW ARISTO 具備業界最高的產能並達到最佳的薄膜均勻度效能。全自動化的裝卸料能力加上公司獲得專利的輸送系統,可顯著縮短生產周期。先進的旋轉靶技術使 NEW ARISTO 成為通過市場驗證的創新量產解決方案,...
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AKT EBT TFT 陣列測試儀能夠以最小的機械運動實現高可靠性、低預定停機時間和低運作成本。電子束陣列測試系統具備快速、大面積光束定位功能,可讓多個電子束並行,從而實現高產能。極致的小光束點尺寸和精確的光束定位性能使得超高解析度應用成為可能,...
AKT-PECVD 系統支持非晶矽 (a-Si) 和金屬氧化物 (MOx) 背板技術,可使用的薄膜包括摻雜及無摻雜非晶矽 (a-Si)、氧化矽 (SiOx)、氮氧化矽 (SiON)、氮化矽 (SiN),並且可以同步進行多層沉積鍍膜。
應用材料先進的...
AKT-PiVot 25K DT PVD、55K DT PVD 和 100K PVD 系統能在玻璃尺寸為 6 代線 (1500x1850 mm²)、8.5 代線 (2200x2500 mm²) 以及 11 代線 (2940x3370 m²) 的基板上沉積氧化銦錫 (ITO...