微机电系统（MEMS）

要实现这类组合器件，需要采用新的材料和器件集成方案。这些材料包含厚外延单晶硅、超厚氧化硅（>20 µm）、氮化铝（AlN）、压电材料（例如锆钛酸铅）以及硅锗合金等兼容低温 CMOS 工艺的薄膜。集成方案包括 硅通孔技术（TSV）等有助于器件堆叠的新封装工艺。

由于 MEMS 市场增长很大程度上由消费类设备来推动，上市时间和成本对 MEMS 制造商来说越发构成挑战，同时也增加了市场对高生产效率、高良率生产工具的需求。为满足这一需求，应用材料公司在已经过生产验证的平台基础上，正在开发新的 200 毫米晶圆处理技术，以解决 MEMS 市场存在的这些难题和其他技术挑战。