刻蚀工艺去除晶圆表面的特定区域,以沉积其它材料。
Semiconductor scaling continues steadily into the single-digit nodes, setting increasingly demanding requirements for precision and...
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随着半导体技术节点不断缩减,对芯片制造的精度和均匀性要求也越来越严格,从而推动了过去十年来硅刻蚀反应腔的首次全面重新设计。 由此打造的应用材料公司 Centris Sym3 系统,可在关键的刻蚀应用中以前所未有的强大芯片内特征控制能力,提供世界一流的跨晶圆均匀性,在 1x...
在新的 200mm 技术上,应用材料公司 Centura 刻蚀反应器解决了以下难题:MEMS 深宽比 >100:1 的硅刻蚀、SJ MOSFET 一体化硬掩模开槽带以及面向 LED 和功率器件的氧化铟锡和氮化镓等新材料。目前,约有 2,000 台 Centura...
器件制造商正在使用各种方案来集成芯片,以便最大限度地提高功能体积比。TSV 技术通过创建垂直通道来实现 3D 互连,这些通道作为集成电路组件,起到连接堆叠芯片或晶圆的作用。在芯片或晶圆之间建立垂直连接,需要深硅刻蚀工艺,应用材料公司的Centura Silvia Etch...
EUV 光掩膜与传统的光掩膜截然不同,后者是有选择性地透射 193nm 波长的光线,将电路图形投射到晶圆上。EUV 光刻采用 13.5nm 波长的光源,所有光掩膜材料都不透明,由复杂的多层反射镜将电路图形反射到晶圆上。这种多层 EUV 光掩膜在保持反射率的同时,...
应用材料公司的 Centura Tetra Z 光掩膜刻蚀系统性能一流,可满足 10nm 及以下逻辑和存储器件的光掩膜刻蚀需求。新系统进一步提升了业内领先的 Tetra 平台的能力,提供了最佳的 CD 性能,以应对先进分辨率增强技术及将浸没式光刻延伸至四重图形曝光。...
Producer Etch 使用双腔室、双前置式晶圆传送盒 (FOUP)、双机器人工厂接口,提供最高产能密度,同时还可对单腔室性能和工艺进行控制。每个双腔室均能以单晶圆或双晶圆模式运行。刻蚀速率、刻蚀速率均匀性和光刻胶选择比,均可通过调节电极之间的间隙来进行调整,...
Producer® Selectra™ Etch 系统以前所未有的功能特性,进一步缩减 3D 逻辑和存储芯片尺寸,从而延续摩尔定律的势头。该工艺可对一个或多个薄膜进行选择性刻蚀,以前所未有的选择比性能来除去靶材。
在先进集成电路的芯片设计中,特征尺寸逐渐变小...