刻蚀工艺去除晶圆表面的特定区域，以沉积其它材料。
Semiconductor scaling continues steadily into the single-digit nodes, setting increasingly demanding requirements for precision and...
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开创性的 Applied Centris 平台集成了多达八个工艺腔室 – 六个刻蚀反应腔和两个等离子清洗腔。 自动化机械臂可实现高速传送，使系统每小时可加工多达 180 片晶圆 – 速度几乎是同类竞争产品的两倍。
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随着半导体技术节点不断缩减，对芯片制造的精度和均匀性要求也越来越严格，从而推动了过去十年来硅刻蚀反应腔的首次全面重新设计。 由此打造的应用材料公司 Centris Sym3 系统，可在关键的刻蚀应用中以前所未有的强大芯片内特征控制能力，提供世界一流的跨晶圆均匀性，在 1x...
反应腔室采用先进材料，可实现“清洁模式”操作，从而降低设备拥有成本，提高产能。 此外，它还消除了第一晶圆效应，从而确保晶圆工艺的可重复性，这一点已获得生产验证。
AdvantEdge Mesa 在晶圆最外缘的刻蚀深度不均匀性 <1% ，且具有 <...
应用材料公司的 Avatar 系统可逐步调节和控制温度，对于每个刻蚀工序都能确保正确的温度设定点和稳定性，再加上三倍频功率输出和多区域气体喷射，在保持基准形貌控制的同时，能达到极其可观的刻蚀深度。客户能够以高产量制造性能高、可靠耐用的下一代器件，...
在新的 200mm 技术上，应用材料公司 Centura 刻蚀反应器解决了以下难题：MEMS 深宽比 >100:1 的硅刻蚀、SJ MOSFET 一体化硬掩模开槽带以及面向 LED 和功率器件的氧化铟锡和氮化镓等新材料。目前，约有 2,000 台 Centura...
器件制造商正在使用各种方案来集成芯片，以便最大限度地提高功能体积比。TSV 技术通过创建垂直通道来实现 3D 互连，这些通道作为集成电路组件，起到连接堆叠芯片或晶圆的作用。在芯片或晶圆之间建立垂直连接，需要深硅刻蚀工艺，应用材料公司的Centura Silvia Etch...
EUV 光掩膜与传统的光掩膜截然不同，后者是有选择性地透射 193nm 波长的光线，将电路图形投射到晶圆上。EUV 光刻采用 13.5nm 波长的光源，所有光掩膜材料都不透明，由复杂的多层反射镜将电路图形反射到晶圆上。这种多层 EUV 光掩膜在保持反射率的同时，...
应用材料公司的 Centura Tetra Z 光掩膜刻蚀系统性能一流，可满足 10nm 及以下逻辑和存储器件的光掩膜刻蚀需求。新系统进一步提升了业内领先的 Tetra 平台的能力，提供了最佳的 CD 性能，以应对先进分辨率增强技术及将浸没式光刻延伸至四重图形曝光。...
Producer Etch 使用双腔室、双前置式晶圆传送盒 (FOUP)、双机器人工厂接口，提供最高产能密度，同时还可对单腔室性能和工艺进行控制。每个双腔室均能以单晶圆或双晶圆模式运行。刻蚀速率、刻蚀速率均匀性和光刻胶选择比，均可通过调节电极之间的间隙来进行调整，...
Producer® Selectra™ Etch 系统以前所未有的功能特性，进一步缩减 3D 逻辑和存储芯片尺寸，从而延续摩尔定律的势头。该工艺可对一个或多个薄膜进行选择性刻蚀，以前所未有的选择比性能来除去靶材。
在先进集成电路的芯片设计中，特征尺寸逐渐变小...
