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半导体

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                  刻蚀

                  刻蚀工艺去除晶圆表面的特定区域，以沉积其它材料。

                  “干法”（等离子）刻蚀用于形成电路，而“湿法”刻蚀（使用化学浴）刻蚀主要用于清洁晶圆。应用材料公司还提供一种创新的“干法”去除工艺，无需使用等离子即可有选择地去除相应层。这里通常的做法是，在刻蚀期间使用光刻胶等抗刻蚀“遮蔽”材料或氮化硅等硬掩膜来保护晶圆的一些部分。

                  刻蚀工艺分为介电质刻蚀或导体刻蚀，分别表示用于去除晶圆上不同类型的薄膜。应用材料公司在刻蚀领域不断创新，始终能够满足在半导体发展过程中的关键节点日益严苛的工艺技术要求（例如 3D NAND、极紫外光图形化和扇出型晶圆级封装）。

                  Centris® Sym3® Y 刻蚀系统

                  半导体缩放持续稳步扩展到个位数节点，对芯片制造的精度和均匀性提出了越来越高的要求。在早期的技术节点，由于特征尺寸较大，所允许的刻蚀深度、线宽/间距宽度或剖面角的变化范围更大，而不会影响到器件性能。同样，在特征表面偶尔残留的微粒也不会有损器件的可靠性。然而，...

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                  Centura® Etch 200mm

                  在新的 200mm 技术上，应用材料公司 Centura 刻蚀反应器解决了以下难题：MEMS 深宽比 >100:1 的硅刻蚀、SJ MOSFET 一体化硬掩模开槽带以及面向 LED 和功率器件的氧化铟锡和氮化镓等新材料。目前，约有 2,000 台 Centura...

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                  Centura Silvia Etch is designed for the deep silicon etch required to create the vertical connections between chips or wafers

                  Centura® Silvia® Etch

                  TSV 为产品设计师在高效空间利用方面提供了新的设计自由度，它不仅使各节点的电路元件能够集成，而且增强了功能与性能，使之优于引线接合和倒装芯片 3D 方案。

                  器件制造商正在使用各种方案来集成芯片，以便最大限度地提高功能体积比。TSV...

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                  Centura® Tetra™ EUV 先进光掩模刻蚀系统

                  极紫外光 (EUV) 光掩膜用于新式光刻系统中，通过高能、短波长光源，将电路图形转印到晶圆上。EUV 光源的波长约为目前深紫外光刻所用光源波长的十五分之一，从而能够进一步微缩特征尺寸。

                  EUV 光掩膜与传统的光掩膜截然不同，后者是有选择性地透射 193nm...

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                  Centura® Tetra™ Z 光掩膜刻蚀系统

                  应用材料公司的 Centura Tetra Z 光掩膜刻蚀系统性能一流，可满足 10nm 及以下逻辑和存储器件的光掩膜刻蚀需求。新系统进一步提升了业内领先的 Tetra 平台的能力，提供了最佳的 CD 性能，以应对先进分辨率增强技术及将浸没式光刻延伸至四重图形曝光。...

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                  Applied Materials Producer

                  Producer® Etch

                  应用材料公司的 Producer Etch 采用获得专利的 Twin Chamber® 设计，是适用于 90nm 及以下节点高生产效率刻蚀应用的可靠且经济高效的生产工具。该刻蚀器经过生产验证，采用高度紧凑的设计，最多可配置三个双腔室，以最大程度提高产量。

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                  Producer® Selectra™ Etch system

                  Producer® Selectra® 刻蚀系统

                  Producer Selectra Etch 系统以前所未有的功能特性，进一步帮助缩减 3D 逻辑和存储芯片尺寸，从而延续摩尔定律的势头。该工艺可对一个或多个薄膜进行选择性刻蚀，以前所未有的选择比性能来除去特定材料。

                  在先进集成电路的芯片设计中，...

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