刻蚀工艺去除晶圆表面的特定区域，以沉积其它材料。
半导体缩放持续稳步扩展到个位数节点，对芯片制造的精度和均匀性提出了越来越高的要求。在早期的技术节点，由于特征尺寸较大，所允许的刻蚀深度、线宽/间距宽度或剖面角的变化范围更大，而不会影响到器件性能。同样，在特征表面偶尔残留的微粒也不会有损器件的可靠性。然而，...
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随着半导体技术节点不断缩减，对芯片制造的精度和均匀性要求也越来越严格，从而推动了过去十年来硅刻蚀反应腔的首次全面重新设计。 由此打造的应用材料公司 Centris Sym3 系统，可在关键的刻蚀应用中以前所未有的强大芯片内特征控制能力，提供世界一流的跨晶圆均匀性，在 1x...
在新的 200mm 技术上，应用材料公司 Centura 刻蚀反应器解决了以下难题：MEMS 深宽比 >100:1 的硅刻蚀、SJ MOSFET 一体化硬掩模开槽带以及面向 LED 和功率器件的氧化铟锡和氮化镓等新材料。目前，约有 2,000 台 Centura...
TSV 为产品设计师在高效空间利用方面提供了新的设计自由度，它不仅使各节点的电路元件能够集成，而且增强了功能与性能，使之优于引线接合和倒装芯片 3D 方案。
器件制造商正在使用各种方案来集成芯片，以便最大限度地提高功能体积比。TSV...
极紫外光 (EUV) 光掩膜用于新式光刻系统中，通过高能、短波长光源，将电路图形转印到晶圆上。EUV 光源的波长约为目前深紫外光刻所用光源波长的十五分之一，从而能够进一步微缩特征尺寸。
EUV 光掩膜与传统的光掩膜截然不同，后者是有选择性地透射 193nm...
应用材料公司的 Centura Tetra Z 光掩膜刻蚀系统性能一流，可满足 10nm 及以下逻辑和存储器件的光掩膜刻蚀需求。新系统进一步提升了业内领先的 Tetra 平台的能力，提供了最佳的 CD 性能，以应对先进分辨率增强技术及将浸没式光刻延伸至四重图形曝光。...
应用材料公司的 Producer Etch 采用获得专利的 Twin Chamber® 设计，是适用于 90nm 及以下节点高生产效率刻蚀应用的可靠且经济高效的生产工具。该刻蚀器经过生产验证，采用高度紧凑的设计，最多可配置三个双腔室，以最大程度提高产量。
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Producer Selectra Etch 系统以前所未有的功能特性，进一步帮助缩减 3D 逻辑和存储芯片尺寸，从而延续摩尔定律的势头。该工艺可对一个或多个薄膜进行选择性刻蚀，以前所未有的选择比性能来除去特定材料。
在先进集成电路的芯片设计中，...
