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化合物半导体

化合物半导体由属于元素周期表中两个或多个不同基团的化学元素组成,例如III-V。与硅相比,化合物半导体具有独特的材料特性,例如直接能带隙,高击穿电场和高电子迁移率,从而实现了光子、高速和高功率器件技术。化合物半导体中的电子移动速度比硅中的电子移动速度快得多,从而使处理速度提升100倍以上。

虽然硅半导体使当今的电子工业成为可能,但化合物半导体将推动下一波发展浪潮,从5G到机器人技术、更高效的可再生能源和自动驾驶汽车。这些半导体可以在较低的电压、发射和感测光下工作,产生微波,对磁敏感并且耐热。它们仅消耗当前材料存储、路由、传输和检测数据所消耗能量的一小部分。

化合物半导体凭借更高的功率效率(对于电池供电设备而言至关重要)和光学特性(用于车联网、医疗保健和工业中实现的新成像技术的传感器),将为物联网(至关重要的5G技术)奠定基础。其它应用包括LED(砷化镓)和激光器(磷化铟);功率器件(例如功率MOSFET和二极管)正在过渡到碳化硅和氮化镓,以实现更好的性能。

化合物半导体中的电子移动速度比硅中的电子移动速度快得多,可将处理速度提升100倍以上。