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Producer® HARP

应用材料公司的Producer HARP(高深宽比工艺)是一种非等离子CVD 热氧化工艺,可满足高级逻辑 FinFET和存储器技术节点的 STI(浅沟槽隔离层)和 PMD(金属前电介质层)等应用的严格间隙填充要求。

这一独特的HARP工艺采用获得专利的臭氧/TEOS化学技术,通过沉积应变诱导薄膜,显著提高二维平面逻辑器件中晶体管的驱动电流,延长存储器件中数据的保留时间,在不增加集成电路复杂度和成本的情况下,显著提升晶体管性能。当 HARP工艺与其他应变诱导薄膜(例如应力氮化物和锗硅外延)一起使用时,可带来叠加的应变工程优势。非等离子体沉积工艺还消除了等离子体引起的器件损坏,从而带来出色的器件可靠性。

应用材料公司的HARP工艺在经过生产验证的高产能Producer平台上运行。凭借其创新的双腔室架构,Producer平台最多可同时处理六片晶圆,而且系统可靠性高,生产效率出色,显著降低维护保养成本。该平台具备可扩展性,使客户能够将Producer机台应用于多种工艺节点。