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Olympia™ ALD

持续的工艺缩放将器件性能不断推向新的水平。ALD技术对 3D NAND 和逻辑 FinFET 制造中越来越多的步骤至关重要。然而,尽管借助 ALD 所实现的保形性和一致的薄膜厚度对于 CD 控制仍然至关重要,但也对 ALD 提出了新的要求,以便在有限热预算中提供范围越来越广的高品质、强健的薄膜。

应用材料公司的 Olympia™ ALD 系统能够单独沉积介电层薄膜,通过提供无与伦比的工序能力应对了在3D 器件制造所需的低沉积温度下,获取高品质 ALD 薄膜的重大挑战。灵活的设计也使系统能够适应所需的多种前体,以便提供ALD 工艺品质、多样性和热范围。

在 Olympia 腔中,晶圆旋转通过不同化学品的隔离区。在这里,每个晶圆依次暴露于两种化学物中,这些化学物在晶圆表面反应,以形成单层保形薄膜。每个暴露周期沉积额外的一层。可将处理工艺并入序列中,以满足特定客户需求。
 

Olympia ALD 系统通过创新型化学物管理来实现差异化,以确保用于沉积过程的单个前体的绝对隔离。这一独特的功能最大限度避免了产生潜在的有害副产物和微粒(可能在化学物自由混合时形成)。结果,系统仅产生极少的缺陷,并能在需要清洁腔体之前运行更长时间。此外,相比时间分散的传统 ALD,通过避免每次化学物处理之后的抽吸/冲洗步骤,该系统能够将生产力提升 50%。