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应用材料公司的 Producer® XP Precision® Draco™ CVD

当今全球的数字化转型推动了对更低成本、更高密度 DRAM 芯片的需求,特别是在数据中心服务器应用领域。然而,物理上的设计局限限制了 DRAM 的缩放,无法跟上人工智能、5G、物联网和其他数据密集型计算应用不断增长的内存需求。

应用材料公司的 Producer XP Precision Draco 硬掩模解决了 DRAM 存储电容器缩放上的一个关键限制。

电容器为直径约 30纳米的超小型结构。它的电容与它的体积成正比。当电容器直径随着缩放而缩小时,必须增加其深宽比以保持电容不变。但是,随着电容器通孔越来越深,高能离子在刻蚀通孔时也会刻蚀到硬掩模。深宽比越高,在完全形成电容器孔之前,硬掩模遭到腐蚀进而损坏器件的可能性就越大。

Draco 硬掩模采用一种新材料解决了这一问题,这种材料的选择性比传统 DRAM 电容器硬掩模高 30% 以上。它可以将沉积的硬掩模厚度减少 30%,从而缩小电容器的深宽比,降低刻蚀工艺的难度。

Draco 硬掩模与应用材料公司的的 Centris® Sym3® Y 刻蚀系统一起协同优化,该系统经过特别调整以适合刻蚀这种新型材料,可将本地 CD 均匀性提高 50%,将桥接缺陷(短路)减少 100倍,从而提升良率。