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Centura® RP Epi

CMOS 技术需要两种类型的晶体管:PMOSNMOS。对于 PMOS,向沟道施加压缩应力(挤压晶格)最有利于改善其性能,这可以缩短纵距,增强原子间的键耦合,从而提升空穴迁移率。而对于 NMOS,则需要拉伸应力(拉伸晶格),以便增加纵距,减轻会影响其迁移率的电子碰撞。

应用材料公司的 Centura RP Epi 系统在过去的十余年始终走在行业前沿,该系统提供了从衬底形成到原位掺杂以及选择性 SiGe 的一系列外延解决方案,以增强先进逻辑和存储器件中的 PMOS 晶体管的性能。应用材料公司专有的外延技术可提供出色的薄膜性能、均匀性和极低的缺陷水平。新工艺充分利用这一专门技术,将 Centura RP Epi 系统的一系列应用扩展到 NMOS 晶体管的外延工艺,从而使 NMOS 驱动电流(速度)提升 20%,以适应下一代移动技术的需要。由此带来的性能提升幅度,相当于拓展了半个技术节点,从而能够有效提升处理能力,以便更好地支持不断发展的的移动应用。

NMOS 型晶体管的动画演示
PMOS 型晶体管的动画演示

集成于 Centura 平台的Siconi® 工艺腔体,可在不破坏真空的情况下提供低温等离子体预清洁功能,从而实现先进器件技术所需的低温外延工艺。通过整合这些步骤,免去了 HF 浸泡和后续的高温氢烘烤,在 3x nm 及更小的技术节点,浸泡和高温氢烘烤工艺会带来了越来越大的挑战。此外,还可以避免待机时间,相比独立系统,可将界面污染减轻一个数量级以上。