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Centris® Sym3® Y 刻蚀系统

半导体缩放持续稳步扩展到个位数节点,对芯片制造的精度和均匀性提出了越来越高的要求。在早期的技术节点,由于特征尺寸较大,所允许的刻蚀深度、线宽/间距宽度或剖面角的变化范围更大,而不会影响到器件性能。同样,在特征表面偶尔残留的微粒也不会有损器件的可靠性。然而,在当今的先进节点上,刻蚀深度、线宽/间距宽度或剖面角哪怕出现最微小的偏差,也可能成为致命缺陷。无缺陷的表面也必不可少。

基于极为成功的 Centris Sym3 产品,我们将其进一步完善并命名为 Centris Sym3 Y。应用于领先的存储器和晶圆代工逻辑节点上的关键导体刻蚀和 EUVL 图形化应用,现已成为应用材料公司最先进的刻蚀系统。高气导室架构与创新的脉冲射频源技术相结合,可通过快速高效地排出每次晶片通过时会累积的刻蚀副产物,实现出色的刻蚀形貌控制。极高的刻蚀选择比允许在单个腔室中依次刻蚀不同材料的多层膜,并提供生成密集封装的高深宽比结构(包括 FinFET 和新兴的环栅晶体管)所需的出色深度和形貌控制。新型专有涂层在刻蚀过程中对腔室的关键元件起到保护作用,可减少制造缺陷,提高晶圆良率。整片晶圆上晶粒之间的差异通过新颖的静电吸盘有所减少,晶圆极端边缘良率通过主动的边缘控制得以提升。

Sym3 Y 系统由多个刻蚀腔室和等离子清洁腔室组成,这些腔室配备系统智能软件,可确保每个腔室中的每道工艺都精确匹配,从而实现了大批量生产的可重复性和高生产率。

凭借无与伦比的工艺均匀性和缺陷控制,Sym3 Y 系统为客户提供了材料塑形和图形化的新方法,即使高级节点上的芯片特征越来越紧密,深宽比越来越大,材料也越来越复杂,也能实现新的 3D 结构,形成继续进行 2D 收缩的新方法。