skip to main content

显示器

View all Products

技术

应用

金属氧化物

要提供比非晶硅(a-Si)高达十倍的电子迁移率，最主要的金属氧化物膜选择是氧化铟镓锌(IGZO)。

IGZO的高电子迁移率可使高分辨率及3D电视面板的刷新率高达480赫兹，并且支持更小晶体管，以达到更高的像素，延长设备电池的寿命。金属氧化物( MOx )晶体管的制造比用于非晶硅晶体管的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术要求更高。使用PECVD工艺沉积二氧化硅电介质膜层会产生氢污染，IGZO膜层通过物理气相沉积(PVD)工艺沉积而来，可免于遭受可能会降解金属的氢污染。

AKT® NEW ARISTO™ FULL DYNAMIC PVD 设备

AKT的立式溅射系统NEW ARISTO具备业界领先的产能并达到卓越的膜层均匀性。自动化的装卸料能力加上公司获得专利的输送系统，可显著缩短处理周期。先进的阴极旋转技术使NEW ARISTO成为经过市场检验的创新量产解决方案，其目标靶材的利用率远高于常规平面靶材，...

View product detail

AKT®-PIVOT™ 25PX PVD

AKT-PiVot 25KPX PVD设备可在六代线(1500毫米x1800毫米)基板上沉积氧化铟锡(ITO)、氧化铟镓锌(IGZO)和金属等薄膜晶体管的关键膜层和连接部分，适用于LTPS/LTPO移动设备。集群理念可实现快速单位时间(Tact time)、高产率、...

View product detail

AKT®-PIVOT™ DT PVD

AKT®-PiVot™ DT PVD

AKT-PiVot 25K DT PVD、55K DT PVD和100K PVD设备能在六代线(1500毫米x1800毫米)、八代线(2200毫米x2500毫米)以及十一代线(2940x3370mm2)的基板上沉积氧化铟锡(ITO)、氧化铟镓锌(IGZO)...

View product detail

AKT 55KS PECVD

AKT®55KS PECVD系统

应用材料公司的全新AKT 55KS PECVD把在市场上处于领先地位的精密等离子体增强化学气相镀膜(PECVD)技术引入尺寸为2200毫米x2500毫米的基板。该系统使用一种全新高质量二氧化硅(SiO2)工艺，为金属氧化物(MO)晶体管沉积一层电介质层界面，...

View product detail

AKT®电子束阵列测试

AKT EBT TFT阵列测试设备以最小的机械运动，实现高可靠性、较短的计划停机时间和低运行成本。电子束阵列测试设备的特征在于，通过几个平行的电子束迅速地进行大面积定位检测，从而实现快速测试。终极的电子束微小尺寸与精确定位使超高分辨率测试成为可能，...

View product detail