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金属氧化物

要提供比非晶硅(a-Si)高达十倍的电子迁移率，最主要的金属氧化物膜选择是氧化铟镓锌(IGZO)。

IGZO的高电子迁移率可使高分辨率及3D电视面板的刷新率高达480赫兹，并且支持更小晶体管，以达到更高的像素，延长设备电池的寿命。金属氧化物晶体管的制造比用于非晶硅晶体管的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术要求更高。IGZO膜层通过物理气相沉积(PVD)工艺沉积而来，并免于遭受可能会降解金属的氢污染，而使用PECVD工艺沉积二氧化硅电介质膜层会产生氢污染。

AKT® NEW ARISTO™ CF系统

作为一种全自动化的立式直列溅射系统，NEW ARISTO具备业界最高的产能。自动化的装卸料能力加上我们获得专利的磁性输送系统，可显著缩短处理周期。先进的旋转阴极技术使NEW ARISTO成为经过市场检验的创新量产解决方案。模块门概念简化系统升级，从而提高投资保障...

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AKT®-PiVot™ DT PVD

AKT-PiVot 55K DT PVD和25K DT PVD设备能在2200毫米x 2500毫米和1500毫米x 1850毫米玻璃基板上沉积薄膜晶体管的关键膜层和金属相连，支持各种大尺寸电视机或移动设备节能型面板的生产制造。AKT-PiVot卓越的均匀性、...

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AKT®55KS PECVD系统

应用材料公司新的AKT 55KS等离子体增强化学气相镀膜设备(PECVD)把在市场上处于领先地位的精密PECVD技术引入2200毫米 x 2500毫米尺寸基板。该系统使用一种新的高质量二氧化硅(SiO2)工艺，为金属氧化物(MO)晶体管沉积一层电介质层界面，...

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AKT®New Aristo™触控系统

最先进的电容触控面板有多种二氧化硅(SiO2)氧化铟锡(ITO)金属，以及沉积在一块玻璃基板的一面或两面的合金薄膜（如图所示）。Aristo双轨设备的平行架构，使单台Aristo双轨设备能够沉积电容触控面板制造工艺流程所要求的全部PVD膜层。

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AKT®电子束阵列测试

AKT EBT TFT阵列测试设备以最小的机械运动，实现高可靠性、较短的计划停机时间和低运行成本。电子束阵列测试设备的特征在于，通过几个平行的电子束迅速地进行大面积定位检测，从而实现快速测试。终极的电子束微小尺寸与精确定位使超高分辨率测试成为可能，...

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