要提供比非晶硅(a-Si)高达十倍的电子迁移率，最主要的金属氧化物膜选择是氧化铟镓锌(IGZO)。
AKT-PiVot 55K DT PVD和25K DT PVD设备能在2200毫米x 2500毫米和1500毫米x 1850毫米玻璃基板上沉积薄膜晶体管的关键膜层和金属相连，支持各种大尺寸电视机或移动设备节能型面板的生产制造。AKT-PiVot卓越的均匀性、...
View product detail
应用材料公司新的AKT 55KS等离子体增强化学气相镀膜设备(PECVD)把在市场上处于领先地位的精密PECVD技术引入2200毫米 x 2500毫米尺寸基板。该系统使用一种新的高质量二氧化硅(SiO2)工艺，为金属氧化物(MO)晶体管沉积一层电介质层界面，...
AKT EBT TFT阵列测试设备以最小的机械运动，实现高可靠性、较短的计划停机时间和低运行成本。电子束阵列测试设备的特征在于，通过几个平行的电子束迅速地进行大面积定位检测，从而实现快速测试。终极的电子束微小尺寸与精确定位使超高分辨率测试成为可能，...
