PVD 증착 공정은 첨단 트랜지스터를 위한 고 유전율/메탈 게이트에서 초박막 캡층과 메탈 게이트 필름을 생성하고 인터커넥트를 위한 초박막 차단층과 시드층을 형성하는 데 사용합니다.
집적 회로와 구성품이 계속해서 미세화되면서 구성품간의 금속 인터커넥트와 컨택도 작아지고 있습니다. 그에 따라 이러한 인터커넥트의 저항이 커지고 있습니다. 더 작고 빠른 전자 기기를 구현하려면 추가적인 미세화가 가능하도록 저항을 최소한으로...
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어플라이드 Charger UBM PVD 시스템은 금속 증착 생산성과 칩 패키징 신뢰도의 새로운 기준을 제시합니다. UBM, 재배선층(RDL), CMOS 이미지 센서 응용분야를 위해 특별히 설계된 Charger 시스템의 새로운 선형구조는...
Applied Endura ALPS(Advanced Low-Pressure Source) Cobalt PVD(물리기상증착) 시스템은 고종횡비 구조의 게이트 및 컨택 응용분야를 위한 간편하고 성능이 뛰어난 실리사이드 솔루션을 제공합니다. 코발트를...
Endura Al Slab PVD(물리기상증착) 시스템은 금속 배선을 만들기 위해 로직 및 DRAM 소자의 텅스텐 플러그에 알루미늄을 증착합니다. 이 시스템은 뛰어난 엘렉트로마이그레이션(electromigration) 저항과 표면형태를 제공하고...
현재까지 이온화된 PVD(물리기상증착)로 전기도금을 위해 모든 표면에서 요구되는 두께와 피복 연속성을 달성할 수 있었습니다. 하지만 2xnm 기술 양식을 넘어서면 돌출부 없이 정합 피복성을 보여주는 가장 최적화된 차단층/시드층...
Endura Avenir 시스템의 RF PVD 기술은 고 유전율/메탈 게이트 응용과 로직 컨택 실리사이데이션(22nm 이하) 공정을 지원합니다.
고 유전율/메탈 트랜지스터의 경우 게이트 퍼스트와 게이트 라스트 집적 공정을 지원하는...
Endura Cirrus HTX TiN 시스템은 티타늄 질화물(TiN) 박막을 위한 물리기상증착(PVD) 기술을 혁신시키면서 차세대 소자를 위한 하드마스크 확장성 문제를 해결합니다. 칩 형상이 계속해서 축소됨에 따라 더 복잡하고 작은 인터커넥트...
고객들은 EnCoRe II Ta(N) 챔버의 두께 조절 기능을 통해 차단층 두께를 줄여 라인 저항을 3x/2x급으로 낮출 수 있고 바닥과 측벽의 뛰어난 피복성을 통해 엘렉트로마이그레이션과 응력 이동을 줄일 수 있습니다. 구리 시드층의 경우에...
업계를 선도하는 Endura 플랫폼에 통합된 이 시스템의 증착 공정은 미세화할 수 있는 구리 차단층 그리고 구리-알루미늄 또는 구리-텅스텐 확산 차단층에 대한 니즈를 해결해 줍니다. Extensa TTN은 하드웨어 변경 없이 동일한 챔버에서...
코발트 실리사이드가 고종횡비 주변부 컨택에 대해 최저 수준의 저항을 구현해서 더 낮은 전압에서 더 높은 구동 전류를 얻을 수 있고 CVD 티타늄 실리사이드 기술보다 더 뛰어난 성능을 보여줍니다.
마이크로 기전 시스템(MEMS), CMOS 이미지 센서, 실리콘 관통 전극(TSV) 같은 패키징 기술의 새로운 응용 분야로 인해서 알루미늄 질화물(AlN), 인듐 주석 산화물(ITO), 알루미늄 산화물(Al2O3), 게르마늄(Ge) 같은 필름의...
능동형 웨이퍼 온도 제어와 응력 조절 기능으로 인터커넥트 금속과 솔더 범프 사이의 집적화를 원활하게 하여 총소유비용을 낮추고 다이 손실을 최소화합니다. Preclean XT를 사용한 유기 잔류물과 자연 산화물의 인시츄 제거로 컨택 저항을 낮추고...
TSV 금속 배선 공정을 위해 특별히 설계된 어플라이드 Endura Ventura PVD 시스템은 물리 기상 증착(PVD) 분야의 최신 혁신 제품입니다. 고객은 이 시스템을 사용해 2D 다마신 공정 인프라와 노하우를 종횡비 ≥10:1인 2.5D...
이 시스템은 균일한 초박막 고품질 차단층의 피복률을 90% 이상으로 구현함으로써 고객들이 가지고 있는 기존의 iLB PVD/CVD 설치 기반을 32nm 이상으로 확대하기 위한 ALD(원자층 증착) 기술을 비용 효율적으로 사용할 수 있는 방법을...
