포토마스크는 집적 회로 패턴을 포함하고 있습니다. 또한 트랜지스터가 점점 작아짐에 따라 패턴을 실리콘 웨이퍼에 정확히 전달하기 위해 포토마스크 패턴이 더 복잡해졌습니다. 포토마스크의 사소한 결함 하나라도 실리콘 디바이스 성능에 영향을 미칠 수 있으며 그에 따라 포토마스크 제조 공정 기술은 더 발전하게 되었습니다. 포토마스크 패턴이 정확하고 결함이 없는지 검증하는 일은 매출 수익이 높은 칩의 경우 더욱 중요합니다.
어플라이드 Aera4 마스크 검사 시스템은 트루 에어리얼 이미징과 최첨단 고해상도 이미징을 차별화된 방식으로 결합한 4세대 193nm 기반 검사 장비입니다.
새로운 리소그래피급 렌즈가 탑재된 Aera4 시스템은 표준 고행사도...
View product detail
세계적 수준의 포토마스크 CD 균일도를 얻으려면 포토레지스트 코팅 품질부터 관리해야 합니다. 나노미터급에서는 챔버 내부 공기의 순도, 온도, 습도, 마스크 표면 전처리, 포토레지스트 디스펜스, 스핀 특성, PAB(도포후 베이크) 윤곽 제어 등...
193i 및 EUV 리소그래피에서 사용되는 포토마스크 세정 방법은 민감한 마스크 재료 및 마스크 사용 환경에 의해 결정됩니다. 마스크 세정 공정은 과격한 화학 약품 처리에서 보다 미세한 파티클을 제거하고 청결한 마스크 표면을 얻기 위해 고주파...
포토마스크 제작에 화학증폭형 레지스트를 사용하려면 패턴 노광에 의한 화학반응을 완료하는 PEB 공정을 엄격하게 제어할 수 있어야 합니다. 최종 패턴 크기는 베이크 온도 및 시간의 영향을 받기 때문에, 베이크 조건을 균일하고 재현성 있게 유지해야...
엄격히 관리된 코팅, 노광, 베이크 공정을 거친 포토마스크의 자체 CD 균일도를 유지하려면 노광된 패턴을 정확히 현상하는 것이 중요합니다. 이를 위해서는 현상액을 마스크 표면에 동시적이고 균일하게 디스펜스해야 합니다. 현상액 부족을 막고 전체...
EUV 포토마스크는 웨이퍼에 회로 패턴을 투사하기 위해 193nm 파장의 빛을 선택적으로 전달하는 기존의 포토마스크와는 근본적으로 다릅니다. EUV 리소그래피가 사용하는 13.5nm 파장에서 모든 포토마스크 물질은 불투명하기 때문에 마스크에는...
어플라이드 Centura Tetra Z Photomask Etch 시스템은 10nm 이상의 로직 및 메모리 디바이스를 위한 광학 리소그래피 포토마스크를 식각하는 데 필요한 첨단 기능을 제공합니다. 이 새로운 시스템은 첨단 해상도 증강 기술을...
