Semiconductor scaling continues steadily into the single-digit nodes, setting increasingly demanding requirements for precision and...
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텅스텐은 낮은 저항과 벌크 충진 특성으로 인해 중간 라인(MOL) 컨택에서 갭 충진 재료로 널리 사용되었습니다. MOL 컨택은 트랜지스터와 인터커넥트 간에 중요한 전기적 링크를 형성합니다. 따라서 전반적인 소자 성능을 위해 낮은 저항성...
Nokota 시스템은 다양한 패키징 방식에 사용되는 전 범위의 플레이팅 공정에 대하여 동급 최강의 성능을 제공하는 고생산성 웨이퍼 레벨 패키징 툴로서 어플라이드 머티어리얼즈의 전기화학 증착 제품군을 확장합니다. 이 제품군은 플립 칩 및 웨이퍼...
결함 검사, 분류, 분석은 반도체의 각 제조 단계에서 품질을 감시하고 통제하는 수단으로서 반도체 제조에 있어 매우 중요합니다. 패턴이 미세화되고 반도체 소자의 복잡도가 높아짐에 따라 그 크기가 작아지고 3D 구조내 위치를 확인하기 힘든 임계...
집적 회로와 구성품이 계속해서 미세화되면서 구성품간의 금속 인터커넥트와 컨택도 작아지고 있습니다. 그에 따라 이러한 인터커넥트의 저항이 커지고 있습니다. 더 작고 빠른 전자 기기를 구현하려면 추가적인 미세화가 가능하도록 저항을 최소한으로...
어플라이드 Aera4 마스크 검사 시스템은 트루 에어리얼 이미징과 최첨단 고해상도 이미징을 차별화된 방식으로 결합한 4세대 193nm 기반 검사 장비입니다.
새로운 리소그래피급 렌즈가 탑재된 Aera4 시스템은 표준 고행사도...
어플라이드 Aeris™-G 시스템은 프리 펌프 플라즈마 방식의 저감 솔루션으로 실제 공정 가스량을 처리해서 더 적은 에너지를 소비하기 때문에 포스트 펌프 방식의 저감 장치에서 처리되는 것보다 더 낮고 더 농축된 가스량을 사용합니다. 저감 과정...
Ginestra™ is a software product designed to simulate the operation and electrical characteristics of modern logic (e.g., FinFET, FeFET)...
세계적 수준의 포토마스크 CD 균일도를 얻으려면 포토레지스트 코팅 품질부터 관리해야 합니다. 나노미터급에서는 챔버 내부 공기의 순도, 온도, 습도, 마스크 표면 전처리, 포토레지스트 디스펜스, 스핀 특성, PAB(도포후 베이크) 윤곽 제어 등...
193i 및 EUV 리소그래피에서 사용되는 포토마스크 세정 방법은 민감한 마스크 재료 및 마스크 사용 환경에 의해 결정됩니다. 마스크 세정 공정은 과격한 화학 약품 처리에서 보다 미세한 파티클을 제거하고 청결한 마스크 표면을 얻기 위해 고주파...
포토마스크 제작에 화학증폭형 레지스트를 사용하려면 패턴 노광에 의한 화학반응을 완료하는 PEB 공정을 엄격하게 제어할 수 있어야 합니다. 최종 패턴 크기는 베이크 온도 및 시간의 영향을 받기 때문에, 베이크 조건을 균일하고 재현성 있게 유지해야...
엄격히 관리된 코팅, 노광, 베이크 공정을 거친 포토마스크의 자체 CD 균일도를 유지하려면 노광된 패턴을 정확히 현상하는 것이 중요합니다. 이를 위해서는 현상액을 마스크 표면에 동시적이고 균일하게 디스펜스해야 합니다. 현상액 부족을 막고 전체...
혁신적인 어플라이드 Centris 플랫폼은 최대 8개의 공정 챔버, 구체적으로는 6개의 식각 챔버와 2개의 플라즈마 클린 챔버로 구성할 수 있습니다. 고속 이송 로봇으로 경쟁 시스템에 비해 거의 2배나 빠른 시간당 최대 180개의 웨이퍼 처리...
반도체가 계속해서 미세화되면서 칩 제조의 정확성과 균일성에 대한 요구가 점점 더 높아짐에 따라 지난 10년 동안 실리콘 식각 챔버가 완전히 새롭게 재설계되었습니다. 그에 따라 나온 어플라이드의 Centris Sym3 시스템은 세계적인 수준의...
이러한 필름은 Centura DxZ CVD 시스템에서 처리할 수 있는 다양한 공정 포트폴리오에 해당됩니다. 유전체 CVD 필름에 대한 어플라이드의 강점은 TEOS, 실란 기반 산화물과 질화물에서 시작되었으며 저 유전율, 신축 변형 가공,...
특허를 받은 어플라이드 머티어리얼즈의 Ultima HDP-CVD 반응기 설계와 공정 기술은 트렌치 소자 분리(STI), 전금속 유전체(PMD), 층간 절연체(ILD), 금속간 절연체(IMD), 패시베이션을 포함한 다양한 응용 분야에서 무도핑(...
CMOS 기술에는 PMOS와 NMOS의 두 가지 유형의 트랜지스터가 필요합니다. PMOS의 경우 채널을 압축해서(격자 간격을 줄여), 즉 세로 방향의 간격을 줄여 원자 결합을 더 강하게 하면 홀 모빌리티가 향상되어 좋은...
어플라이드 Avatar 시스템은 각각의 식각 시퀀스의 정확한 온도 설정과 안정성을 보장하기 위해 단계별 온도 조절 및 제어 능력을 3중 주파수 전력 및 다중 구역 가스 주입 기능과 결합하여 우수한 윤곽 제어 능력과 함께 아주 깊은...
DPN HD 질화 공정에서, SiO2 유전체에 저에너지 펄스 플라즈마를 통해 질소를 주입하면 게이트 스택의 SiON과 Poly Si의 계면은 높은 질소 농도를, Si 기판과 SiON계면에는 낮은 질소 농도를 유지하여 채널 모빌리티를 향상시킵니다...
어플라이드의 Centura Epi 시스템은 생산을 통해 검증된 단일 웨이퍼, 다중 챔버 방식의 에피택시 실리콘 증착 시스템이며 전세계적으로 약 900대의 200mm 챔버가 사용되고 있습니다. 복사열로 가열되는 개개의 공정 챔버가 증착 조건...
어플라이드의 Centura Etch Reactor가 해결하는 200mm 기술의 새로운 당면 과제로는 MEMS를 위한 종횡비 >100:1의 실리콘 식각, SJ MOSFET를 위한 올인원 하드 마스크 오픈 트렌치 스트립, LED와 전력 소자를...
각 기술 노드의 원하는 소자 성능을 얻기 위해 점점 작아지는 EOT에 맞추어 게이트 스택의 두께를 줄여야 합니다. 22nm 이하로 가면서 초박막 고 유전율 필름을 만들기 위해 ALD 공정이 필요합니다. EOT를 줄이기 위해 플라즈마 질화를...
체적 대비 기능 비율을 최대화하기 위해 소자 업체들은 3D 구조를 사용해 칩을 집적화하고 있습니다.TSV 기술은 적층된 칩이나 웨이퍼를 연결하는 집적 회로의 부품의 역할을 하는 수직 통로를 만들어 3D 인터커넥트를 구현합니다....
EUV 포토마스크는 웨이퍼에 회로패턴을 투사하기 위해 193nm 파장의 빛을 선별적으로 보내는 기존의 포토마스크와는 근본적으로 다릅니다. EUV 리소그래피가 사용하는 13.5nm 파장에서 모든 포토마스크 물질은 불투명하기 때문에 마스크에는 회로...
