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Centura® Tetra™ Z Photomask Etch

어플라이드 Centura Tetra Z Photomask Etch 시스템은 10nm 이상의 로직 및 메모리 디바이스를 위한 광학 리소그래피 포토마스크를 식각하는 데 필요한 첨단 기능을 제공합니다. 이 새로운 시스템은 첨단 해상도 증강 기술을 구현하고 전례 없는 CD성능으로 4중 패터닝을 위한 액침 리소그래피를 확대하기 위해 업계를 선도하는 Tetra 플랫폼의 역량을 강화합니다.

반도체 산업이 기존의 리소그래피 기술이 가진 한계를 지속적으로 확장하고 있는 상황에서, Tetra Z 시스템은 10nm 첨단 바이너리위상 반전 마스크(PSM) 식각에 필요한 극한의 OPC 해상도 증강 기술을 구현하기 위한 중요한 요소입니다. 이 시스템은 모든 형상 크기와 패턴 밀도에 걸쳐 균일하고 선형적인 정밀 식각을 구현하는 제어를 통해 크롬, 몰리브데늄 실리콘 질산화물(MoSiON), 하드 마스크, 쿼츠(용융 실리카)에서 매우 뛰어난 패턴 전달 충실도를 달성하며, 사실상 결함률이 제로입니다.

Tetra 식각 시스템의 뛰어난 CD 성능과 높은 식각 선택비를 통해 보다 얇은 포토레지스트 필름을 사용하여 핵심적인 디바이스 레이어에서 더 작은 포토마스크 CD 패턴을 달성할 수 있습니다. 조절식 CD 바이어스 기능은 고객 별 특정한 요구조건을 만족시킬 수 있도록 시스템 유연성을 더욱 확장합니다. Tetra 식각 시스템만의 고유한 쿼츠 식각 깊이 제어 기능은 교대 구멍 PSM과 무크롬 위상 리소그래피를 사용하여 정밀한 위상 각도를 구현하고 집적 회로 미세화를 지원합니다. 이러한 핵심적인 발전은 챔버설계; 플라즈마 안정성; 이온 규정, 래디컬, 가스 유속과 압력의 조절; 그리고 실시간 공정 모니터링과 제어 부분의 개선을 기반으로 이루어졌습니다.

마드하비 찬드라추드가 Tetra™ Photomask Etch 시스템에 대해 소개합니다.
 

Tetra Z 시스템은 다양한 유형의 마스크를 식각할 수 있기 때문에 도구 운영의 복잡성과 개발 주기, 그리고 공정 라이브러리와 전문가 사용자에 대한 의존성을 최소화합니다. 지난 십 년 동안 세계의 주요 포토마스크 업체들은 Tetra 식각 시스템을 사용해 최점단 마스크를 식각하고 최고의 수율을 달성해 왔습니다.