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イオン注入

イオン注入 (ドーピングの一方式) は、集積回路の製造に不可欠な手法です。チップの複雑化に伴い、注入工程数が増加しています。


今日、メモリを内蔵したCMOS集積回路では、注入回数が最大60回にまで達しています。アプライド マテリアルズのラインナップは、業界で一般的に採用されている4種のインプラントシステムから構成されています。これらのうち、3種類は照準線ビームラインシステムです:高電流(低エネルギーおよび/または高ドーズアプリケーション用)、中電流(低ドーズ用)、および高エネルギー(非常に深いイオン注入用)です。4種類目はプラズマドーピングを利用するもので、極めて高いドーズが必要な場合や、照準線ビームラインシステムが届かない領域でのコンフォーマルドーピングが要求されるアプリケーション(例えば、三次元FinFETトランジスタにおける側壁ドーピング)に採用されています。これらのシステムは最先端のビーム角度制御、ドーズ制御、均一性、およびウェーハ間の再現性を提供します。