Endura^® ALPS^® PVD (ALPS CO & NI)

Applied Endura ALPS (Advanced Low-Pressure Source) Cobalt PVD（物理気相成長）システムは、高アスペクト比のゲートやコンタクトアプリケーション向けに、シンプルかつ高性能なシリサイドソリューションを提供します。ALPSテクノロジーはコバルトを90nm以下のテクノロジーノードまで拡張し、デバイスにプラズマによるダメージを与えることなく、低欠陥数で良好なCoのボトムカバレージを実現します。Endura ALPS Coは、優れた抵抗値、低いリーク電流および熱安定性を通して、チタンの凝集とコンタクト抵抗の変化、およびドーパントサクションへの課題に対応します。

65nm/55nm以下のロジックやメモリアプリケーションでは、Coによるシリコン消費とCoシリサイド／シリコン界面の粗さがより重要な課題となります。Endura ALPS Ni PVDシステムは2分の1のシリコン消費、スムースな膜界面、より低い抵抗値で、安定したNiSi膜を製造します。ALPS Niはデバイスにプラズマによる損傷を与えることなく、パーティクルを最低限に抑え、100オングストロームのボトムカバレージを達成します。

Applied Endura ALPS Ni PVDシステムは枚葉式Siconi Precleanテクノロジーを搭載し、NiSi形成前のシリコン洗浄における表面準備の課題に対応します。Siconi Precleanは、従来のHFクリーンプロセスで必要とされた洗浄とNi成膜の間の厳密な待機時間の制御を必要としない、高い選択制クリーニング（>20：1 SiO₂：Si、>5：1 SiO₂：SiN）を提供します。リモートプラズマソースでエッチング液を生成することで基盤への損傷が劇的に削減され、窒化スペーサーやシリコンゲートへのエッチングが最低限に抑えられます。さらに、デバイスの研究により、Siconi Precleanでは、従来のHFディッププロセスフローと比較して、より少ないNiSi₂スパイク欠陥と結合部の漏れが証明されています。