次世代DRAM

傳統的DRAM設計使用控制電路和地址線去環繞每個存儲電容器。為了要讓每個晶片容納更多的位元，領先的記憶體製造商轉而把地址線隱藏在矽晶片的電容器下面。應用材料公司已經贏得這個新設計的挑戰，開發出針對這種新方法所設的齊全製造系統。