次世代DRAM
傳統的DRAM設計使用控制電路和地址線去環繞每個存儲電容器。為了要讓每個晶片容納更多的位元,領先的記憶體製造商轉而把地址線隱藏在矽晶片的電容器下面。應用材料公司已經贏得這個新設計的挑戰,開發出針對這種新方法所設的齊全製造系統。
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次世代NAND
因為繼續擴大傳統快閃記憶體單位已經越來越不切實際,許多領先的製造商正在開發一個名為“三維堆棧式NAND” 的技術。多個二維記憶體陣列在彼此的頂部製作,所以在擴大晶片容量的同時又不用減少每個單元的大小。應用材料公司的創新系統幫助快閃記憶體製造商實施這個令人興奮的新技術。
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