新興的內存晶片設計

在跟隨摩爾定律近40年以來,傳統的存儲容量增多,被稱為“擴展”的二維記憶體晶片在減少功能的大小問題上變得非常困難。例如,一個先進的25納米快閃記憶體晶片使用約 100個電子去存儲每個位元的訊息。超過數百萬次的讀/寫輪轉使用,可靠的控制這些電子是一個重大挑戰- 和成就。

在進一步提高存儲密度的大小同時,不縮放位元的大小,製造商在製造DRAM和NAND的快閃晶片上均轉向更新興、更堆棧的架構。為這一項重大的設計改變,應用材料公司已開發了系統來提供製造商為固態硬碟驅動器,和其他擁有密集記憶體的移動應用程式生產高可靠性,低成本的記憶體晶片的能力。

次世代DRAM
傳統的DRAM設計使用控制電路和地址線去環繞每個存儲電容器。為了要讓每個晶片容納更多的位元,領先的記憶體製造商轉而把地址線隱藏在矽晶片的電容器下面。應用材料公司已經贏得這個新設計的挑戰,開發出針對這種新方法所設的齊全製造系統。
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次世代NAND
因為繼續擴大傳統快閃記憶體單位已經越來越不切實際,許多領先的製造商正在開發一個名為“三維堆棧式NAND” 的技術。多個二維記憶體陣列在彼此的頂部製作,所以在擴大晶片容量的同時又不用減少每個單元的大小。應用材料公司的創新系統幫助快閃記憶體製造商實施這個令人興奮的新技術。
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