構建每個先進晶片互連程度的序列稱為鑲嵌過程。簡單地說,溝渠蝕刻成一層絕緣材料,然後裝滿“襯墊”的薄膜,以保護它們的結構和為其後用來裝填的銅材料作準備。銅是用於減少阻力,從而最大限度地提高轉換的速度。除了使用銅,為進一步提高通過互連的信號速度,製造商正在實施使用低介電常數絕緣的材料,被稱為“低介電薄膜”。