低溫多晶矽液晶的AKT PECVD系統

為製造高亮度、高清晰度、低功耗的TFT - LCD，AKT的低溫多晶矽PECVD技術的一個特點是多步（SiN/SiO2/a-Si）單室內沉積過程，它提供業界最高質量的氫控制多晶矽先導薄膜，溫度高達攝氏430 度。

一個分開的預熱/後沉積單室會大大降低氫在矽薄膜的沉積，同時提高系統的處理能力。氫含量在多晶矽先導薄膜的減少，可以讓薄膜快速在準分子激光鍛鍊過程中轉換為多晶矽，或讓其他互補的啟動程序在其他獨立系統內進行。

根據基板尺寸，目前有3個平台可用於低溫多晶矽：AKT - 1600 PX PECVD的基板為 370毫米x 470毫米，AKT - 4300 PX PECVD的基板為620毫米x 750毫米，AKT-5500 PX PECVD的基板為 730 x920毫米。