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PVD

PVD沉積製程是用在先進電晶體採用高介電系數金屬閘極技術時,以及在形成超薄隔絕材料和導線的晶種層時,製造超薄保護層和金屬閘極薄膜。

在先進元件中要沉積高均勻度且一致性超薄薄膜愈來愈困難。 應用材料的製程能確保終端裝置能發揮正確優越的電性功能。