skip to main content

記憶體

在遵循摩爾定律近 40 年以來,透過減少線寬尺寸 (微縮) 來提高傳統二維記憶體晶片的儲存容量變得非常困難。

例如,一個先進的 25 奈米快閃記憶體晶片使用約 100 個電子來儲存一個位元的資訊。 在超過數百萬計的讀/寫週期要可靠地使用這些電子是個重大的挑戰,也是很大的成就。

為了進一步增加儲存密度而不縮小位元的大小,製造商在製造 DRAM 和 NAND 快閃晶片上轉而開發新穎、更多堆疊的架構。應用材料公司開發了能促使這項重大設計變動的系統,使製造商具備生產高可靠度、低成本記憶體晶片的能力,專供固態硬碟與其他記憶體密集型行動應用程式使用。

新生代 DRAM

傳統 DRAM 設計採用其控制電路和位址線來環繞每個儲存電容器。 為了在每個晶片上封裝更多的位元,領先的記憶體製造商將位址線埋入矽晶圓的電容器下面。 應用材料公司範圍廣泛的製造系統以採用這種新方法為目標,完全能滿足這項新設計的挑戰。

新生代 NAND 晶片

因為繼續縮小傳統快閃記憶體單元已愈來愈不可行,許多領先的製造商正著手開發名為「三維堆疊式 NAND」的技術。 多重二維記憶體陣列是以層層相疊方式來製造,因此能增加晶片容量而不需要減少每個單元的大小。 應用材料公司的創新系統幫助快閃記憶體製造商實現這項令人興奮的新技術。