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VIISta®HCP

VIISta HCP 植入器採用 Varian 開創性的單晶圓高電流技術,能提供高良率和業界最佳生產力。

創新的雙磁鐵帶狀波束架構可改良光束線傳輸、晶圓的束流運用以及波束電流輸出。

在植入極源反應室和光束線元素中,VIISta HCP 的雙磁鐵帶狀波束架構可將晶圓與由沉積和波束撞擊所產生的微粒隔離。

VIISta HCP 可使用閉迴路 Varian 定位系統來測量並調整波束控制,以提供準確、可重複以及互連的入射角控制,適用於真正零角度和精準的傾斜角度植入。

選配的 VIISta HCP PTC II 配置具備低溫植入能力,可進行損傷控制工程和精準材料修正應用,以增強 HCP 平台的效能。在先進節點中,如何將摻雜物活化和消除末端缺陷成為重大的挑戰,而這些都是會阻礙高效能晶片微縮的主要因素。