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VIISta®900 3D

Varian VIISta 900 3D 系統延續了用於量產且是業界最佳中等電流離子植入機的 Varian VIISta 900 XPT。新系統可滿足不斷升級的植入 (或摻雜) 精密度要求,並可符合製造 2x 奈米以下節點的新興三維元件架構時的零缺陷性能要求。其光束線架構採取精確角度和波束形狀控制的專門設計,以便在邏輯 FinFET 和三維記憶體結構的各種應用中,精確地擺置摻雜物並使晶圓內與晶圓間變化達到最小。此外,這些功能還有利於 CMOS 圖像感應器技術以及最先進的平面結構。

新系統採用微粒數量的表現經世界級認證的 VIISta 平台光束線架構。濾器磁鐵能在源頭就移除不需要的植入物。三磁鐵架構可提供最潔淨的中等電流系統光束線,在離子束到達晶圓前有效地去除所攜帶的金屬、微粒、交叉物和污染物。系統採用獨特設計,將垂直角度與波束形狀控制相結合,提高了植入精密度及閉環微觀和宏觀均勻度測量,大幅降低了植入變化情形。可重複和精確的植入角度控制,是先進節點元件的重要參數,在這類元件中,即便最小的變化也可能嚴重影響良率。這些控制技術將垂直與水平角精度提高到 0.1º,與前一代產品比較,提升幅度達到了兩倍。

控制電晶體損傷對三維元件的性能與功耗至關重要。VIISta 900 3D 系統兩項特性可將這類損傷降至最低。首先,在離子植入過程中,熱植入的整合功能可維持矽和高遷移率溝道材料的結晶度。以更高溫度植入,可消除三維結構中的角落缺陷和生長缺陷,改善摻雜劑活化,並減少缺陷所引起的元件漏電流。其次,可控制的射束密度調整 (劑量率控制) 讓用戶可以針對特定的配方狀況進一步減少晶體損傷。

強化的波束形狀和劑量控制,可促成可能是全新的最佳化 SuperScan™ 功能。此特性能透過糾正不均勻性 (植入以外的上游程序所引起) 來提高元件性能和良率。全新 SuperScan 3 算式可針對幾乎是任何所需圖案來提供自訂劑量,而無需旋轉晶圓。系統最多可容納七個不同的區域 (區域劑量比率可達 7:1),同時可在不同的區域內保持最佳劑量精密度和均勻性。