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Vantage® RadOx™ RTP

先進元件微縮需要更薄及更優質的氧化層,同時還必須備低漏電流、高可靠性、較低的熱積存等特性,以及更嚴密的製程控制。應用材料 Vantage RadOx 快速升溫製程具備自由基氧化化學特性,可在低熱積存下生成高密度、高品質的氧化層。

此系統創新技術突破關鍵氧化步驟的微縮障礙,如記憶體閘極氧化層、淺溝隔離內壁氧化層、犧牲氧化層、側壁氧化層、快閃記憶體穿隧氧化層、ONO 堆疊。RadOx 搭載於經過生產驗證的高生產效率 Vantage 機台,可在領先業界的 Radiance 反應室中,通過嚴格的熱積存控制和製程過程監控,生成優質的氧化層。