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Raider® GT ECD

隨著線寬尺寸持續縮小至10 奈米以下,以及深寬比的增加 (>5:1),要在由下而上的填充與側壁抑制之間取得平衡似乎越來越難,且更無法達到完美填充。此外,更薄的晶種層 (電阻值增加) 與更高的元件密度,使晶圓整體上更難達到均勻的沉積,因此無法達到高元件良率。上層金屬堆疊層需要使用其他金屬化技術,如使用鈷而不是銅。

大量金屬化

Raider GT 電氣化學沉積系統適用於記憶體和邏輯元件的銅導線間隙填充,具有動態電流控制技術和微秒配方控制,並且能使用於範圍最寬的化學製程 (低至高電鍍浴導電性)。這些特性是整體晶圓在微小線寬填充能力和沉積均勻度達到最佳化的關鍵。在晶圓進入溶劑及經過沉積過程中,系統可機動性且快速地調整和控制電流密度,這即是 Raider GT 技術的核心。

GT 系統具備可擴展性,可以高生產效率和低擁有成本進行次 20 奈米小型線寬填充。Raider GT 設計具備獨特的彈性,能讓部份系統執行第二項化學反應。兩項化學反應可同步進行,或者可變更配置 (在最短停機時間下) 以便進行單一化學製程,達到最大生產力。