半導體 (Semiconductor)
Producer® Nanocure® 3 UV Cure
應用材料 Producer Nanocure 3 專門設計與應用材料 Producer Black Diamond® 3 沉積系統配合使用，這使得應用材料在奈米多孔低介電層技術能持續領先地位，將先進導電層可微縮至 28 奈米及以下節點。
製造奈米多孔低介電值薄膜的製程分為兩個步驟，第一步為以 PECVD 法沉積有機矽玻璃「支柱」及熱不穩定有機相沉積，第二步為以紫外缐 (UV) 固化去除不穩定相部分 (因而產生多孔性)，結構重組後強化了餘留的矽氧矩陣結構而形成奈米多孔性薄膜。
Russ Perry explores Applied's breakthroughs in low-k dielectric technology.
新生代 Black Diamond 3 薄膜更將此領先業界的技術延伸至超低介電值 (ULK) 薄膜 (k～2.2)，可微縮至 22 奈米及以下節點，並改善元件速度。同時也具備先進封裝技術所需要的機械強度 (硬度及彈性)。此薄膜在蝕刻並除去光阻劑後，具有優秀的抗溼性、介電值穩定度，且有極佳的機械強度。
經過這個兩階段的沉積及固化製程所產生的薄膜，機械強度為應用材料過去成功生產的二代 Black Diamond 薄膜的兩倍，元件變異性降低，晶片良率提高。
For more technical information regarding the Black Diamond 3 process, please visit the Producer Black Diamond PECVD page.