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Producer® eHARP™ CVD

應用材料 Producer eHARP (加強型高深寬比製程) 系統是一種新型非電漿 CVD 氧化膜,可滿足 4xnm 及以下節點的 STI (淺溝隔離層) 間隙填充要求。

在沉積過程中,eHARP 薄膜是透過引入水蒸汽到 TEOS/臭氧化學物來改善第一代 HARP 薄膜間隙填充技術。結果將產生更緊緻、更密集的薄膜,可在深寬比大於 12:1 的線寬中進行無縫、無孔洞間隙填充。eHARP 在 32 奈米邏輯元件的間隙填充及 4x 奈米元件的應用都經過驗證,可解決 3D 島狀生長複雜線寬的垂直廓線和設計問題。eHARP 是第一個可在 4x 奈米快閃記憶體進行淺溝隔離層 (STI) 填充的合格 CVD 解決方案。

eHARP 的 TEOS/臭氧式製程也可以提高電晶體性能表現並降低整合複雜性或成本,方法是透過沉積誘發薄膜的應力,大幅提高邏輯元件的晶體驅動電流、記憶體元件的保留時間;同時,此製程更可降低整合複雜性或成本。應用材料 eHARP 薄膜適用在經生產驗證、高產量的 Producer 機台;該機台可以在三個 Twin® 反應室中同時處理多達六個晶圓。