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PRODUCER® APF™ (先進曝光圖樣薄膜) PECVD (電漿輔助化學氣相沉積)

Applied Producer APF (先進曝光圖樣薄膜) PECVD (電漿輔助化學氣相沉積)系統可為關鍵且重要的微影製程提供突破性的非晶碳可剝除硬質遮罩技術。

幾乎每家先進的 DRAM、NAND 快閃記憶體和 NOR 快閃記憶體廠都會採用本系統,這是針對曝光圖樣淺溝隔離層、閘極、位元線、接觸點、電容器和導線等特殊功能生產的業界第一款商用 PECVD 可灰化非晶系碳膜系統。它也是一種突破微縮標準氟化氬微影極限中自對準雙圖案整合製程物理限制的賦能薄膜之一。

由於 APF 應用的衍生,本系統已從單一薄膜發展到一系列多種特殊的薄膜家族。

APF (先進曝光圖樣薄膜)
廣為低線寬和高深寬比 (HAR) 結構採納為曝光圖樣薄膜,APF 提供絕佳的蝕刻選擇性比,且能提供比傳統光阻劑 (PR) 更低的刻線邊緣粗糙度 (LER)。 由於具備傳統光阻劑般的可灰化特性,皆可很容易地將 APF 整合入製程中。 無論是單獨使用或與應用材料的 DARC (介電質抗反射鍍膜DARC) 合用,這符合成本效益且具備微影功能的薄膜都可為多晶矽、氮化矽或氧化矽提供高蝕刻選擇性、極佳的關鍵尺寸控制和更低的刻線邊緣粗糙度 (LER)。

APFe
建立在APF 蝕刻選擇性和 LER的絕佳特性上,APFe能產生比 APF 更厚層的沉積 (例如在電容器形成和記憶體元件的金屬接觸點),同時維持蝕刻 HAR導孔所需的對位透明度。

APFx
APFx 擴展了 APF的 應用,可以滿足5X奈米及更進一步的金屬線和接觸點圖案曝光的製程。 APFx 除了有絕佳的微影對位透明度,還提供最有效的批覆保形性,可改善抗蝕光阻劑重工性以減少明顯表面型態應用中的後曝光圖樣瑕疵數量。APFx 具備最穩定的機械特性,例如附低應力和良好粘著性的高彈性模數和硬度,這是小至 3X 奈米的線寬曝光圖樣達到完整性所需的特性。