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Olympia™ ALD

製程持續微縮推動元件效能邁向全新水準。ALD 對製造三維 NAND 和邏輯 FinFET 中越來越多的元件關鍵製程步驟至關重要。雖然使用 ALD 製程達到均勻一致的薄膜厚度,對臨界線寬控制仍然很重要,但 ALD 必須達到更多需求,以便能在新生代節點的有限熱積存內提供範圍越來越廣的高品質、穩固耐用的薄膜。

應用材料 Olympia™ ALD 系統可用來進行介電質和金屬薄膜單獨沉積,能解決新生代節點製造平面和三維元件的重大挑戰,在低沉積溫度中取得高品質的 ALD 薄膜沉積,提供了新型的高效能 ALD。

今天的 ALD 系統不僅會通過沉積連續薄層 (每層一個原子厚度) 來鋪放薄膜,而且經常還會涉及到必要的材料工程 (處理),以便賦予這些薄膜特定的屬性。Olympia 系統的功能遠超傳統解決方案,通過靈活的模組化設計,來實現沉積與材料處理的雙重功用。這種模組化設計提供了無與倫比的排序功能,可在製造現代尖端記憶體和邏輯晶片時,以所需的低沉積溫度獲得高品質薄膜,解決了這方面的重大挑戰。靈活的設計也使系統能夠適應多種先驅物及製程/處理組合,這樣才能提供預計用於新生代元件的高品質、多樣化、多種工作溫度的 ALD 製程。

在 Olympia 反應室中,晶圓會旋轉通過不同化學物隔離區。在這裡,每個晶圓依次暴露於兩種化學物中,這些化學物在晶圓表面反應,以形成均勻的單層薄膜。然後,每經過一個暴露週期再沉積一層薄膜。處理製程可併入原子級的材料工程程序中,以滿足特定客戶的需求。
 

Olympia ALD 系統的獨特之處在於創新的化學物管理,這能確保沉積製程中使用的個別先驅物會絕對隔離。此獨特功能對於最大限度避免產生潛在的有害副產物和微粒 (可能在化學物自由混合時形成) 至關重要。最後,系統會產生非常少的缺陷,可在兩個反應室清潔過程中運行很長一段時間。此外,系統避免了每次化學反應後的抽吸/沖洗步驟,相比時間分散的傳統 ALD,能夠將產能提升 50% 以上。