skip to main content

Endura® Versa™ XLR W PVD

在先進元件中,DRAM 結構的數據傳輸速度成為限制系統效能的一個因素。為加速數據傳輸,需要更快的外圍閘極接觸點。Endura Versa XLR W PVD 系統透過採用低電阻率的鎢薄膜沉積,來製造電阻率最低的記憶體閘極電極。

鎢可以用於三維元件架構中的閘極堆疊,而無須改變處理流程或整合方法。 設計人員得益於電路配置內的更大彈性。 此外,相較於先前 PVD 鎢技術,製程套件具有雙倍的使用壽命,相當於減少 10% 每片晶圓的耗材成本。