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Endura® PVD 200mm

現今 200mm 物理氣相沉積 (PVD) 所面臨的挑戰,是必須能夠沉積更厚、高度均勻、低溫兼容性薄膜。在功率元件市場中,能夠高速切換且形狀係數和空間佔用小的元件,正推動對先進散熱技術的需求,如厚度範圍為 4µm 到超過 100µm 的 Al 層。

微機電系統 (MEMS)、CMOS 圖像傳感器和封裝技術(如矽穿孔 (TSV))領域的新興應用,正在推動氮化鋁 (AlN)、氧化銦錫 (ITO)、氧化鋁 (Al2O3) 和鍺 (Ge) 等薄膜的 PVD 發展。

Endura PVD 200mm

應用材料公司的 Endura 平台是半導體業有史以來最成功的金屬化系統。憑藉跨越前段金屬化(如鈷、鎢、鋁和銅互連)以及凸點下金屬化等封裝應用的沉積功能,過去 20 年製造的大多數微晶片均由 Endura 系統生產,目前,Endura 系統在全球的銷量已超過 4,500 套。

Endura 能夠以嚴格的薄膜厚度控制、出色的底部覆蓋率和高度均勻沉積多種超純薄膜,這個能力是製造尖端元件的關鍵。

該系統最多可容納九個製程反應室,讓系統能夠混搭反應室,以產生集成多步驟製程序列。高度可配置的 Endura 平台支持兩個可去除原生氧化物的預清潔反應室、多達六個 PVD 反應室、並可以選配兩個 MOCVD 反應室,以確保滿足客戶對於薄膜沉積和元件效能的要求。

Upgrades

目前有數千台 Endura 仍在生產線上使用,其中許多還是採用原始配置,因此我們提供了很多產品改進方案,可用於提升製程效能和提高機台生產效率。例如,可通過將反應室 A 從傳遞室轉換為冷卻室,消除冷卻室的產量瓶頸。通過 EZ LCF 可避免晶圓放置錯誤,同時通過嚴格的邊緣排除來提升夾緊製程的效能,並消除與多反應室製程序列有關的層疊錯誤。此外,反應室升級可用於包括 TxZ 在內的許多反應室,以提昇在片均勻性和減少維護工作。