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Endura® HAR Cobalt PVD

在先進元件中,DRAM 結構的數據傳輸速度成為限制系統效能的一個因素。為加速數據傳輸,需要更快的外圍閘極接觸點。Endura HAR Cobalt PVD 系統可降低外圍接觸點中的電阻,能夠在更低的電壓下產生更高的驅動電流。

该系统将Siconi硅化物前处理与PVD钴和TiN帽沉积集成在DRAM外围的直接接触应用中。矽化鈷針對高深寬比周邊觸點提供最低電阻,因此能在更低電壓下進行更高驅動電流,勝過 CVD 矽化鈦技術