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Endura® Extensa™ TTN

應用材料 Endura Extensa TTN 能為客戶提供彈性整合,讓客戶能順利轉移至銅連接並提升元件效能。此系統具備耐用的沉積技術,能針對 5x 奈米以下快閃記憶體和 DRAM (動態隨機存取記憶體) 元件,為阻障層沉積提供具備生產價值的製程。

此系統的沉積製程整合了領先業界的 Endura 平台,能符合可擴展銅阻障層和銅鋁或銅鎢擴散阻障層的需求。 Extensa TTN 在同一個反應室中,無需改變硬體,即可針對鈦、金屬化氮化鈦 (TiN)、完全氮化氮化鈦沉積提供獨特的多種物理氣相沉積製造能力,亦可搭配銫襯墊和焊墊應用。

系統均勻的階梯覆蓋率和薄層電阻 (不均勻度小於 3% 1σ) 能進行更薄的阻障層堆疊沉積,以便減少懸突並達到無縫隙填充。此反應室搭載接地的單件式 CleanCoat™ 鋁製套件,提供業界最佳缺陷效能 (在 0.12 微米下小於 10),並且相較於其他現有的阻障層沉積系統,提供更低的耗材成本作業。更薄的薄膜和更少的粘合也可以降低每個晶圓的持有成本。

Extensa TTN 具有磁通量整形、高度離化功能,配備雙磁體 PVD 源,可提供良好的階梯覆蓋率 (0.10μm 4:1 深寬比時大於 40%),底部和側壁的中心到邊緣不對稱度較低 (~1:1)。側邊電磁鐵提供製程調整的靈活性,因應不同類型的線寬,並且能進行與蝕刻相關的線寬尺寸變化補償。