skip to main content

Endura® CuBS RFX PVD

應用材料 Endura CuBS (銅阻障層/晶種) RFX PVD 是供 3x/2x 及更先進節點的邏輯和記憶體的應用。SIP (自離子化電漿) EnCoRe II Ta(N) 阻障層和 EnCoRe II RFX 銅晶種製程反應室採用高離子化物理氣相沉積技術,提供完整覆蓋和低溫薄膜沉積,並且具有最小懸突和平滑形態。

EnCoRe II Ta(N) 反應室具有可調整厚度的能力,讓客戶能降低線路阻障厚度,以便將線路電阻微縮到 3x/2x 節點,同時通過出色的底部和側壁覆蓋率,減少電遷移和應力遷移。針對銅晶種層,EnCoRe II RFX 銅反應室採用創新的磁控動作、流量控制以及高再濺鍍比率,進一步加強均勻覆蓋。

這些技術緩解了會降低金屬間隙填充品質的問題,如晶圓邊緣的線端孔洞或 CMP 處理後的缺陷。

Aktiv™ 預潔淨方法

為解決隨幾何尺寸縮小而日益重要的介面問題,應用材料公司提供了各種預潔淨技術,以便在不影響臨界線寬或材料特性的前提下,確保界面完整性。Endura CuBS RFX 系統採用創新的 Aktiv 預潔淨 [反應室或製程] 方法,提供突破性的清潔技術,能有效移除聚合物殘留物並減少氧化銅,同時保護多孔性低介電值夾層介電層 (ILD) 薄膜,如 Black Diamond® II。Aktive 預潔淨製程與傳統反應式預潔淨方式不同,此製程不會對介電值造成明顯改變,因此能夠轉移至下一代低介電值介電層。

應用材料 Endura CuBS RFX PVD 系統在高真空條件下依次沉積 Ta(N)/Ta 阻障層,然後沉積銅晶種層。通過在 Endura 平台整合整個順序 (包括新型 Aktiv 預潔淨系統),可確保絕佳的薄膜黏合和無氧化層介面,同時保持介電值不受影響,以達到低導孔電阻和高元件可靠性