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Endura® Amber™ PVD

在微電子製程中,採用銅能可靠並完整地填充元件間的連線溝槽和導孔結構,這對元件可靠性非常重要。此製程的關鍵步驟為阻障層 (預防銅擴散至周圍絕緣材料中) 和銅晶種層的沉積,可使接著的電化學沉積 (或電鍍)中無縫隙或接縫。

Sundar Ramamurthy 解說革新的 Amber PVD 銅回流如何解決 20nm 以上的導線微縮問題。

迄今為止,離子化物理氣相沉積 (PVD) 能夠達到電鍍所需的厚度和所有表面覆蓋的連續性。不過,若超過 2xnm 節點,即使是最佳化的阻障層/晶種製程,且具有均勻覆蓋和無任何懸突,還是會對電鍍造成無法控制的線寬深寬比。

獨特的 Endura Amber 物理氣相沉積系統透過經驗證的多合一方式,結合冷沉積和高溫熱銅迴流至 supersede EnCoRe II RFX 銅晶種技術,一舉解決此難題。在 1xnm 節點下,超小型導孔開孔周圍的銅懸突會妨礙傳統物理氣相沉積,使其無法達到最佳化電鍍所需的側壁和底部晶種層覆蓋。新系統透過銅迴流達到底層向上填充,加強了物理氣相沉積,藉此擴展現有技術。這項雙步驟技術能減少實際導孔深寬比 (單次施用) 或完整填充導孔 (反覆施用),讓電鍍製程更加輕鬆。因此,這項技術能確保無縫隙的填充,達到元件所需的可靠性。沉積/迴流循環的每一步驟皆為獨立溫度控制,其靈活性促使此製程與多種襯墊材料得以成功整合。

此創新銅晶種技術整合在 Endura 平台上,並且在高真空下具有預潔淨和 EnCoRe II Ta(N) 阻障層技術,能在量產中達到高元件良率。