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Endura® Al PVD

Endura 鋁片物理氣相沉積 (PVD) 系統為邏輯和動態隨機存取記憶體元件的鎢插塞提供鋁沉積,形成金屬佈線。 此系統提供優異的抗電遷移能力和表面形態,並且具有低持有成本和高系統可靠性。

Endura 鋁片物理氣相沉積系統納入經生產驗證的 Durasource TTN (Ti/TiN) 反應室與高生產力鋁熱板物理氣相沉積反應室,將物理氣相沉積鋁片技術延伸至 65nm 以下。此系統整合至生產驗證的 Endura 主機中,提供優異的鋁互連堆疊,並具備高產能和絕佳的微粒數量表現。

採用 ALPS 技術的 Endura 先進熱鋁填充Endura 先進熱鋁填充系統附有先進低壓源 (ALPS) 鋁作為晶種層,將物理氣相沉積鋁填充技術延伸至 90 奈米以下導孔級記憶體應用。ALPS Al 屬於 PVD 製程,在低壓下作業,靶極至晶圓的距離很大,因此在製程腔中,沉積物質的流動具有方向性,會增加側壁和底部的覆蓋。ALPS Al 製程在小尺寸的導孔和小於 250 奈米的觸點上提供優異的階梯覆蓋。