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Centura® Tetra™ Z 光罩蝕刻系統

應用材料公司的 Centura Tetra Z 光罩蝕刻系統提供最先進的性能,可滿足 10nm 及以下製程的邏輯和記憶體等元件的光學微影光罩蝕刻所需。這套全新系統提升了業界領先的 Tetra 平台功能,可以採用先進的解析度增強技術,並且利用四次圖案化來延伸浸潤式微影到前所未有的臨界線寬極限。

半導體界不斷突破目前微影技術的極限,Tetra Z 系統在其中扮演重要的推手,為先進 10nm 二元光罩和相偏移光罩 (PSM) 的蝕刻,提供製程所需的極端光學鄰近效應修正 (OPC) 解析度增強技術。該系統通過控制,可在鉻、鉬矽氮氧化矽 (MoSiON)、硬光罩和石英 (熔矽) 圖案轉印中達到極佳的保真度,確保所有線寬尺寸和圖案密度都能進行一致、線性的精密蝕刻,並幾乎達到零缺陷。

該系統有最佳的臨界線寬 (CD) 性能以及高蝕刻選擇性,達到可採用更薄的光阻薄膜,進而在關鍵元件層上取得更小的光罩線寬圖案。可控制的臨界線寬 (CD) 偏差功能擴大系統的靈活性,可滿足客戶的特定要求。獨特的石英蝕刻深度控制,可確保精確的相位角度,使客戶能夠使用交變孔徑相偏移光罩 (PSM) 和無鉻相位微影技術,有助於縮小積體電路的尺寸。這些重要性能的提升源於以下方面的改進:處理反應室的設計;電漿穩定性;離子、自由基、氣流和壓力的調控;製程的即時監測和控制。

Madhavi Chandrachood 探討 Tetra™ 光罩蝕刻系統。
 

Tetra Z 系統具備各類光罩蝕刻的功能,可使工具操作複雜度降至最低、開發週期減至最短且對製程資料庫和專家用戶的依賴也減至最少。近十年來,全球領先的光罩廠都依賴 Tetra 蝕刻系統進行最先進的光罩蝕刻,且良率達到業界最高水平。