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Centura® RP Epi

CMOS 技術需要兩種類型的電晶體:PMOSNMOS。前者可受益於向通道施加壓縮應變 (擠壓晶格),這不僅可以縮短縱距、增強原子間的鍵結耦合,而且促進電洞遷移。NMOS 則需要伸長應變 (拉長晶格),以便增加縱距並減低會影響遷移之電子碰撞。

Applied Centura RP Epi 系統十幾年來領先業界,提供從基板形成到原位同時摻雜以及選擇性 SiGe 等一系列的 Epi 解決方案,提高了先進邏輯和記憶體元件的 PMOS 電晶體性能。應用材料公司專有的 Epi 技術可提供最佳薄膜性能、均勻性和極低的缺陷率。由於運用這項專業技術,新的製程能力現在可以將 Centura RP Epi 系統的全套應用擴展用在 NMOS 電晶體的 Epi,可以為下一代行動技術將 NMOS 驅動電流 (速度) 增加 20%。這項性能提升幅度相當於將元件技術節點縮小了一半,並有效地提升處理能力,以便更有力地支持越來越先進的行動應用。

NMOS 型電晶體的動畫
PMOS 型電晶體的動畫

Siconi 技術與Centura 平台整合運用,不必破壞真空即可提供低溫、電漿式、預先清洗功能,進而能夠為尖端技術提供真正的低溫 Epi製程。對於 3x nm 以後的技術,氫烘烤步驟會造成越來越大的挑戰。而這些步驟的整合免除了 HF 浸泡和後續的高溫氫烘烤步驟。此外,與獨立系統比較,不但可以避免等候時間且可將介面污染減輕一個數量級以上。