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CENTURA® ISPRINT™ 鎢原子層沉積 (ALD)/化學氣相沉積 (CVD)

應用材料 Centura iSprint 鎢原子層沉積/化學氣相沉積系統可為高深寬比的接觸點及金屬間導孔結構提供完整的填洞能力,同時可延伸鎢的製成技術能力至45 奈米/55奈米的邏輯晶片和記憶體晶片

此系統結合創新的原子級鎢成核技術和高產能 Sprint 化學氣相沉積製程,可提供無縫隙的鎢填洞技術、且能和後續CMP製成相容.

原子層沉積的製程可將成核層的厚度,由一般典型CVD所需的 300 埃降至 12 埃,並且同時能與 PVD Ti/MOCVD TiN的黏著層和阻障層可靠地整合,維持絕佳的阻障層效能。

iSprint 系統也提供高產能和低消秏成本,並具備最佳化的ALD 反應室設計。該設計提供擁有專利的快速氣體供應系統,而其小體積的反應室,可以用較少的氣體就可達成快速、有效的沖洗目的。