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Centura® EPI 200mm

為支持不斷變化的功率和 MEMS 元件要求,元件製造商把更厚的磊晶層作為目標。隨著薄膜厚度進入 50µm 到 110µm 範圍,以及對電阻率(薄層電阻)均勻性、缺陷密度、厚度和微粒效能更嚴格的製造公差要求,市場正從批量加工向單晶圓加工過渡。

應用材料公司的 Centura Epi 系統是經過全球生產驗證的 ~900 200mm 反應室、單晶圓、多反應室磊晶矽沉積系統。每個採用輻射加熱的製程反應室均可以提供精確和可重複的沉積條件控制,並可以實現完全無滑移的薄膜、出色的薄膜厚度和電阻率均勻性,以及低缺陷水平。

憑藉廣泛的溫度和壓力特性、出色的溫度均勻性以及靈活的氣體面板配置,Centura Epi 系統可支持先進的低溫磊晶和多晶沉積製程,包括鍺和矽鍺。此外,由於能夠配置多達 3 個製程反應室並為提供出色的同步反應室清潔效能進行硬件優化,所以該系統能夠實現市場領先的產能密度和低擁有成本 (CoO)。