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Centura DxZ CVD 200mm

為滿足先進 MEMS、功率元件和封裝市場的製造要求,對 200mm 先進化學氣相沉積技術的需求也有所增加。種類越來越多的新興技術元件,在製造上需要使用超厚氧化物 (≥20µm)、低溫(180° 到 350°C)、均勻、低濕式蝕刻速率(WER) 的薄膜以及折射率 (RI) 可調的摻雜薄膜,這已成為此類元件製造的一個鮮明特色。

Centura DxZ CVD 系統可提供這些薄膜所涉及的廣泛製程。應用材料公司在介電質 CVD 薄膜領域的優勢基礎,始於 TEOS、基於矽烷的氧化物和氮化物,進而又擴大到在先進晶片生產製程的領先地位,包括低 k、應變工程以及光刻薄膜。

此外,Centura DxZ SACVD 系統(次大氣壓 CVD)還提供各種摻雜(磷化氫、硼和氟)和無摻雜間隙填充解決方案。這些製程可滿足淺溝隔離層 (STI)、金屬前介電質層 (PMD)、層間介電質層 (ILD)、金屬層間介電質層 (IMD) 等應用需求。

Centura DxZ CVD 反應室採用了非消耗型電阻加熱器和陶瓷部件,可顯著改善成本、產能、易維護性和可靠性。DxZ 製程套件也由零消耗部件組成。借助單晶圓多反應室架構,Centura DxZ 可提供高達 100WPH(3,000Å PE TEOS 和矽烷電漿)和 55wph (3000Å SACVD USG) 的產能。對稱式設計和小反應室容量,對於沉積和清潔化學可實現高效的氣體利用率,這有助於降低總體擁有成本。